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安徽譜純氣體科技有限公司
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反應放熱后，氟開始和碳化硅進行反應，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應繼續(xù)進行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，長沙四氟化碳，然后慢慢地氣化。四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質(zhì)和半導體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，四氟化碳價格，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。
高純四氟化碳主要用于集成電路、半導體的等離子刻蝕領域，可用來蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料，四氟化碳批發(fā)，是用量大的等離子蝕刻氣體。此外，高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽能電池生產(chǎn)等領域。四氟化碳用于各種集成電路的等離子刻蝕工藝，也用作激光氣體，用于低溫制冷劑、溶劑、潤滑劑、絕緣材料、紅外檢波管的冷卻劑。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術。生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化后，隨后通過硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。
它在大氣中的壽命約為50，000年，增溫(暖化)系數(shù)是6，500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似，四氟化碳公司，但四氟化碳不會破壞臭氧層。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應。
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第7年
