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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
主營：貴金屬材料
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濺射靶材ITO靶材的生產(chǎn)工藝 ITO靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結(jié)法。各種生產(chǎn)工藝及其特點簡介如下：
熱等靜壓法：ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預(yù)先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機械性能好，但設(shè)備投入高，生產(chǎn)成本高，產(chǎn)品的缺氧率高。
中國的工業(yè)，由于長期處于計劃經(jīng)濟體制內(nèi)，玫瑰金靶材加工，發(fā)展比較緩慢，對于金銀而言，可以說是歷史悠久，源遠流長了，阜新玫瑰金靶材，但在改革開放前，沒有納入國家計劃渠道的，直至2002年10月30日上海黃金正式開業(yè)，才宣告了計劃經(jīng)濟時金銀管理條例的失效，而鉑族金屬工業(yè)更是起步晚、技術(shù)落后，玫瑰金靶材多少錢，直到改革開放以后，才有了突飛猛進的發(fā)展，但與國際上的國家相比較，依然是落在人家后面，因此在中國無論是的投資儲備需求，還是實際的應(yīng)用需求。
而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導(dǎo)體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質(zhì)材料的附著強度低．并且容易發(fā)生反應(yīng)，導(dǎo)致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題，需要在銅與介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
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第8年
