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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
主營：貴金屬材料
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熱壓法：ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內(nèi)充填入適當(dāng)粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓，同時以1000℃～1600℃進(jìn)行燒結(jié)。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小，福建鉑粒，燒結(jié)溫度較低，燒結(jié)時間較短。但熱壓法生產(chǎn)的ITO靶材由于缺氧率高，鉑粒廠，氧含量分布不均勻，鉑?；厥?，從而影響了生產(chǎn)ITO薄膜的均勻性，且不能生產(chǎn)大尺寸的靶。
各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，哪里有鉑粒，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線。
在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。
金屬靶材材質(zhì)分為：
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。
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第8年
